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四氯化硅烟气净化

发布时间:2023-04-19 14:30:48 人气:

一、设计工况参数

1.1 原始设计参数:

年产XXX吨四氯化硅,年操作工时8000h,X套合成炉,四氯化硅合成炉出口温度800-1100℃, 合成气组成状况:四氯化硅≦40-60%,氮气40-60%,含有大量固体粉尘 (如硅粉)和金属杂质(如铝、铁、镍等)及氯化亚铁粉15% 合成气流量 2800-6000标方/小时,设计压力一个标准大气压,工作压力标准大气压,设计温度 常温,工作温度  常温。

1.2除尘装置设计技术指标

烟尘排放浓度<10mg/m3

二、干法除尘装置工艺技术方案

2.1干法除尘工艺原理:

四氯化硅的合成气体在沸腾床式反应合成炉内反应生成。从四氯化硅合成炉顶部排出混合合成气,混合合成气中往往还夹带有含氯化亚铁粉,如果不及时去除其中的含氯化亚铁粉,会导致下游管道及设备磨损严重,也容易产生堵塞,不利于生产系统的平稳运行,因此混合合成气会依次通过二燃室+一级风冷器+二级风冷器+旋风分离器、除尘器和等分离灰的装置,得到四氯化硅气体,再冷凝尾气四氯化硅从气相转变为液相,液态四氯化硅回收利用,减少尾气排放与处理量。

本四氯化硅生产过程中废粉除尘工艺:

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2.2 四氯化硅合成系统性能参数表规格型号:(单台炉套)

设备型号及单套数量如下:

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卖方提供的设备为成套设备,包括筒体、分布器、封头、滤材、气包、控制柜、电磁阀、就地监测仪表等主要部件

2.2.1卖方提供的除尘设备为成套设备,包括筒体、分布器、封头、滤材、气包、控制柜、电磁阀、就地监测仪表等主要部件,但不限于以上部件。

2.2.2除尘器筒体法兰标准选用NB/T47023-2012,与工艺管线、阀门连接法兰标准选用HG/T20592(B)-2009

2.2.3卖方提供除尘器泄放、反吹控制方案、控制逻辑图。

2.2.4卖方提供除尘器现场控制柜与反吹装置间的线缆。

2.2.5除尘器的控制信号以硬接线或通讯的方式与买方的DCS系统相连接,并能接受买方的DCS系统的干接点信号用于控制除尘器的反吹和泄放。PLC预留通讯接口,并配合DCS厂家实施组网通讯。

2.2.6卖方提供除尘器全套装置配件的清单、型号、材质、数量等相关说明。

2.2.7方的管路系统应包括管路、阀门、就也仪表及所有相关附件。在供货界区的所有接口处配带配对法兰及其紧固件。

2.2.3、分工与接口划分

1.   电源由需方负责将380V,220V电源接入供方控制柜,控制柜到设备之内的全由供方负责。

2.   除尘灰输送位置界限:除尘器下部灰斗卸料阀出口处。

4.   烟气管道界限:进口管道分界点在除尘器进口法兰处:出口管道分界点在除尘器出口法兰处。

5.   压缩氮气管网界限:气源分界点除尘器气包用气接口处和用气接口处;


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